什么是高熵氧化物?
高熵氧化物是指由多种金属阳离子在单一晶体结构中形成的固溶体,其构型熵需满足Sconf≥1.5R(R为气体常数),当所有阳离子等摩尔混合时最大熵可达1.61R。
高熵氧化物是指由多种金属阳离子在单一晶体结构中形成的固溶体,其构型熵需满足Sconf≥1.5R(R为气体常数),当所有阳离子等摩尔混合时最大熵可达1.61R。
HER(Hydrogen Evolution Reaction)是电催化反应中的重要反应,其计算通常涉及吸附能、反应路径、过渡态能量等。VASP通过第一性原理计算(DFT)方法,结合密度泛函理论(DFT)和Kohn-Sham理论,能够精确计算材料的电子结构和反
VASP(Vienna Ab Initio Simulation Package)是一种广泛应用于材料科学和化学领域的第一性原理计算软件,用于模拟原子和分子的电子结构和性质。在VASP中进行HER(Hydrogen Evolution Reaction)台阶图
在密度泛函理论(DFT)框架下,机械法(Virial应力张量法)通过压力张量分量的空间积分计算表面张力(γ),其核心思想是利用界面区域与体相区域的应力差异量化界面收缩力。
电子自旋调控催化的核心在于电子态的分裂与自旋选择性对反应过程的影响。在量子力学框架下,电子的自旋不仅是一个基本量子数,还直接决定了电子在外加磁场和交换场作用下的能量差异。
HOMO-LUMO能隙(ΔE)是关键指标,其中最低未占分子轨道能量直接反映位点接受电子对的能力——越低(即轨道能量越接近费米能级),接受电子对的能力越强。
为攻克激发态计算难题,TD-DFT将理论延伸至吸收光谱与荧光性质研究,针对电荷转移态精度不足的挑战,长程校正泛函(如CAM-B3LYP)通过优化势能分布实现精准改进。
本文华算科技系统介绍了在密度泛函理论(DFT)中引入范德华校正的重要性与具体方法。首先阐明了范德华力的物理本质及其在分子晶体、吸附体系和层状材料中的关键作用,并指出常规DFT方法(如GGA)难以准确描述这种弱相互作用,容易低估结合能和失真结构。
近日微软研究院推出了一个叫Skala的深度学习泛函。据称,该泛函根据meta - GGA的输入,便可得到non - local functional的信息,从而达到化学精度(chemical accuracy)。
本文阐述了使用GGA-PBE泛函进行DFT带隙计算时常出现比实验值低约40%~50%的系统性偏差,其根本原因在于常规模型缺乏“导数不连续”校正且存在自相互作用误差。
密度泛函理论(Density Functional Theory,DFT)是现代计算化学和材料科学中一种重要的第一性原理计算方法,广泛应用于分子、固体及多体系统的电子结构研究。
结合跨尺度模拟与机器学习加速,DFT正推动高稳定性、高能量密度电池设计,为下一代储能技术提供原子级理论支撑。在锂电池研究中,密度泛函理论(DFT)已成为揭示材料微观机理的"超级显微镜"。
电子结构计算通过能带分析(带隙类型与载流子迁移)、态密度(DOS)解析电子分布、电荷密度差揭示界面电荷转移,结合Bader电荷量化原子电荷转移及ELF分析键合特性。
在表面催化反应的密度泛函理论(DFT)建模中,周期性超胞模型的构建是基础:以Au(111)表面为例,常采用(3×3)或(4×4)超胞(横向尺寸约8.6 Å×8.6 Å),通过固定底部2-3层原子的坐标模拟半无限晶体环境,确保表面弛豫(顶层原子位移
高斯软件是一款在计算化学领域占据重要地位的专业软件。自 1970 年由约翰・波普尔等人发布第一个版本以来,经过多年的持续研发和改进,已经发展成为功能强大、应用广泛的计算化学软件包。
在DFT计算中,零点能校正提升自由能(ΔG)、晶格常数及过渡态能垒的精度,例如氢转移步骤能垒修正达10-20 kcal/mol。实例显示,锰催化C-H活化中ZPE修正降低活化能8.2 kcal/mol,与实验吻合。
HSE06(Heyd-Scuseria-Ernzerhof 2006)是一种杂化泛函,通过引入短程Hartree-Fock交换(HFX)与PBE交换相关泛函的组合,显著提升了半导体和绝缘体带隙的计算精度。
“从头算”(Ab initio)和“第一性原理”(First-principles)是理论计算科学中两个密切相关但又略有区别的概念,均指不依赖实验参数、从最基本的物理定律出发来研究材料或分子的性质。
动态平均场理论(DMFT)是固体物理学中描述强关联电子体系的重要方法之一。它最早由 Georges 等人在1990年代提出,并迅速发展成为研究金属、磁性材料、超导材料等领域中的一种强有力的理论工具。DMFT本质上是一种自洽的平均场方法,它解决了在强电子关联条件
缺陷形成能(Defect Formation Energy)是材料科学中量化缺陷热力学稳定性的关键参数,其定义为在完整晶体中引入特定缺陷所需的能量变化。该能量决定了缺陷的平衡浓度及其对材料电学、光学等性质的影响。对于带电缺陷,其形成能还与费米能级(EF)密切相